ON Semiconductor 1N5819G
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ON Semiconductor 1N5819G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Continuous Forward Current | 1 A |
| Diameter | 2.7 mm |
| Dimensions | 2.7 Dia. x 5.2 L mm |
| Diode Type | Schottky Barrier |
| Forward Voltage | 0.9 V |
| Length | 0.204 in |
| Maximum Junction Temperature | 125 °C |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Non Repetitive On State Peak Current | 25 A |
| Number of Pins | 2 |
| Operating Temperature | -65 to 125 °C |
| Package Type | DO-41 |
| Peak Current | 1000 μA |
| Primary Type | Schottky Barrier |
| Product Header | Axial Lead Schottky Barrier Rectifier |
| Rectifier Type | Free-Wheeling Diode ; High Frequency ; Low Voltage ; Polarit |
| Repetitive Peak Voltage | 40 V |
| Reverse Current | 10 mA |
| Series | 1N5800 Rectifier Series |
| Surge Current | 25 A |
| Temperature Operating Range | -65 to +125 °C |