ON Semiconductor BAS40-06LT1G
Diode,Schottky Barrier,Fast,Vr 40V,If 120mA,Pkg SOT-23 (TO-236AB),Vf 380mVNous sommes heureux de proposer à nos clients des produits ON Semiconductor avec livraison dans leurs pays respectifs. Veuillez nous contacter pour des informations détaillées sur les prix et les délais de livraison. Dans votre demande, veuillez envoyer des informations contenant les codes produits et des détails spécifiques à notre adresse [email protected].
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ON Semiconductor BAS40-06LT1G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Configuration | Dual Common Anode |
| Continuous Forward Current | 0.12 A |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.01 mm |
| Diode Type | Schottky Barrier |
| Forward Voltage | 1 V |
| Height | 0.04" (1.01mm) |
| Junction Capacitance | 5 pF |
| Length | 0.119 in |
| Maximum Junction Temperature | +150 °C |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Non Repetitive On State Peak Current | 600 mA |
| Number of Pins | 3 |
| Operating Temperature | -55 to +150 °C |
| Package Type | SOT-23 |
| Peak Current | 1 μA |
| Power Dissipation | 225 mW |
| Primary Type | Schottky Barrier |
| Product Header | Common Anode Schottky Barrier Diode |
| Rectifier Type | Switching |
| Repetitive Peak Voltage | 40 V |
| Series | BAS Series |
| Surge Current | 600 mA |
| Switching Speed | Fast |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Width | 0.055 in |