ON Semiconductor TIP102G

ON Semi TIP102G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:200, 3-Pin TO-220AB

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ON Semiconductor TIP102G Specifications

Property	Value
Base Current	1 A
Collector Cutoff Current	50 (Base), 50 (Emitter) μA
Collector to Base Voltage	100 V
Collector to Emitter Voltage	100 V
Configuration	Common Base
Continuous Collector Current	8 A
Dimensions	10.28 x 4.82 x 15.75 mm
Emitter to Base Voltage	5 V
Height	0.62" (15.75mm)
Input Voltage	2.8 V
Length	0.404 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Output Current	8 A
Output Voltage	100 VDC
Package Type	TO-220
Polarity	NPN
Power Dissipation	80 W
Primary Type	Si
Product Header	Complementary Bipolar Silicon Medium Power Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Ambient	62.5 °C/W
Series	TIP Series
Temperature Operating Range	-65 to +150 °C
Transistor Type	NPN
Type	Medium Power, Switch
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	2.5 V
Width	0 in