SEMIKRON SEMIX503GB126HDS
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SEMIKRON SEMIX503GB126HDS Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Collector Current | 466 A |
| Collector to Emitter Shorted Voltage | 1200 V |
| Collector to Emitter Voltage | 1200 V |
| Configuration | Dual |
| Continuous Collector Current | 466 A |
| Dimensions | 149.5 x 63.5 x 17 mm |
| Energy Rating | 72 mJ |
| Gate Capacitance | 21.6 nF |
| Gate to Emitter Voltage | 20 V |
| Height | 0.669" (17mm) |
| Length | 5.885" (149.5mm) |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Screw |
| Number of Pins | 20 |
| Package Type | SEMIX 3s |
| Polarity | N-Channel |
| Primary Type | Si |
| Product Header | Trench N-Channel IGBT Module |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.08 K/W |
| Series | IGBT Series |
| Temperature Operating Range | -40 to +150 °C |
| Transistor Type | IGBT |
| Type | Trench |
| Width | 2.5" (63.5mm) |