SEMIKRON SK 10GD123

Transistor, IGBT,Si,N-Chan,NPT,VCES 1200V,VCE(SAT) 2.7V,IC 16A,E 2.3mJ,T12

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SEMIKRON SK 10GD123 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Collector Current	16 A
Collector to Emitter Shorted Voltage	1200 V
Collector to Emitter Voltage	1200 V
Configuration	Array
Continuous Collector Current	16 A
Dimensions	55 x 31 x 12 mm
Energy Rating	2.3 mJ
Gate Capacitance	0.53 nF
Gate to Emitter Voltage	+/-20 V
Height	0.472" (12mm)
Length	2.165" (55mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Pins	28
Package Type	T-12
Polarity	N-Channel
Primary Type	Module
Product Header	N-Channel IGBT Module
Series	IGBT Series
Temperature Operating Range	-40 to +150 °C
Type	NPT
Width	1.22" (31mm)