SEMIKRON SK 50 GD 066 ET

IGBT Half-Bridge Ultrafast, 1200V, SEMITRANS

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SEMIKRON SK 50 GD 066 ET Specifications

Property	Value
Collector Current	60 A
Collector to Emitter Shorted Voltage	600 V
Collector to Emitter Voltage	600 V
Configuration	Array
Dimensions	55 x 31 x 12 mm
Energy Rating	3.1 mJ
Gate Capacitance	3.1 nF
Gate to Emitter Voltage	+/-20 V
Height	0.472" (12mm)
Length	2.165 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Pins	19
Package Type	T-52
Polarity	N-Channel
Primary Type	Si
Product Header	N-Channel IGBT Module
Series	IGBT Series
Temperature Operating Range	-40 to +175 °C
Transistor Type	IGBT
Type	Trench
Width	0 in