Siliconix / Vishay BYV27-100-TR
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Siliconix / Vishay BYV27-100-TR Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Continuous Forward Current | 2 A |
| Diameter | 3.6 mm |
| Dimensions | 3.6 Dia. x 4 L mm |
| Diode Type | Avalanche Sinterglass Diode |
| Forward Voltage | 1.07 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 45 K/W |
| Length | 0.157 in |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Non Repetitive On State Peak Current | 50 A |
| Number of Pins | 2 |
| Operating Temperature | -55 to 175 °C |
| Package Type | SOD-57 |
| Peak Current | 150 μA |
| Primary Type | Avalanche |
| Product Header | Ultrafast Avalanche Sinterglass Diode |
| Repetitive Peak Voltage | 100 V |
| Reverse Current | 150 μA |
| Series | BYV Series |
| Surge Current | 50 A |
| Switching Speed | Ultrafast |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Type | Sinterglass |