Siliconix / Vishay SI1021R-T1-GE3/BKN
60V (D-S) P-CH MOSFET W/ESD PROTECTNous sommes heureux de proposer à nos clients des produits Siliconix / Vishay avec livraison dans leurs pays respectifs. Veuillez nous contacter pour des informations détaillées sur les prix et les délais de livraison. Dans votre demande, veuillez envoyer des informations contenant les codes produits et des détails spécifiques à notre adresse [email protected].
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Siliconix / Vishay SI1021R-T1-GE3/BKN Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 1.68 x 0.86 x 0.8 mm |
| Drain Current | -135 A |
| Drain to Source On Resistance | 8 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -60 V |
| Forward Transconductance | 80 mS |
| Forward Voltage, Diode | 80 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.031" (0.8mm) |
| Input Capacitance | 23 pF @ -25 V |
| Length | 0.066 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +150 C |
| Package Type | SC-75A |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 250 mW |
| Series | SI10 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 1.7 nC |
| Turn Off Delay Time | 35 ns |
| Turn On Delay Time | 20 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.7 nC @ -30 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -60 V |
| Width | 0.034 in |