Siliconix / Vishay SI7818DN-T1-E3

SI7818DN-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor, 2.2 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK 1212

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Siliconix / Vishay SI7818DN-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain ; Triple Source
Dimensions	3.15 x 3.15 x 1.07 mm
Drain Current	2.2 A
Drain to Source On Resistance	0.142 Ohms
Drain to Source Voltage	150 V
Forward Transconductance	17 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.042" (1.07mm)
Length	0.12 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	PowerPAK 1212-8
Power Dissipation	1.5 W
Series	SI78 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	25 ns
Turn On Delay Time	10 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	20 nC @ 10 V
Width	0 in