Siliconix / Vishay SIRA14DP-T1-GE3

Semiconcuctor,Mosfet;TrenchFET;N-Channel;30V;20A;5.1mohm @ 10V;PowerPAK SO-8

Nous sommes heureux de proposer à nos clients des produits Siliconix / Vishay avec livraison dans leurs pays respectifs. Veuillez nous contacter pour des informations détaillées sur les prix et les délais de livraison. Dans votre demande, veuillez envoyer des informations contenant les codes produits et des détails spécifiques à notre adresse [email protected].

Notre gamme de produits comprend une large variété d'options Siliconix / Vishay et d'autres modèles. Si vous ne trouvez pas le modèle que vous recherchez, vous pouvez nous envoyer un e-mail ou remplir le formulaire de demande de devis. Notre entreprise propose uniquement des produits originaux ou neufs. Si vous avez des demandes spécifiques à ce sujet, n'hésitez pas à nous contacter.

Sur cette page, vous trouverez des informations détaillées sur le produit Siliconix / Vishay SIRA14DP-T1-GE3. La marque Siliconix / Vishay est reconnue pour ses pièces de haute qualité utilisées dans divers secteurs. Le site propose différents modèles de produits Siliconix / Vishay, offrant des options adaptées à vos besoins.

Veuillez nous contacter pour passer une commande pour le produit Siliconix / Vishay SIRA14DP-T1-GE3 ou pour en savoir plus. Nous sommes heureux de vous aider à vérifier le produit ou à explorer d'autres modèles.

N'hésitez pas à nous contacter. Nous sommes là pour livrer la bonne pièce de la manière la plus fiable. La satisfaction du client et la qualité du produit sont nos priorités. Nous sommes là pour vous offrir le meilleur service.

Siliconix / Vishay SIRA14DP-T1-GE3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain ; Triple Source
Dimensions	5.99 x 5 x 1.07 mm
Drain Current	58 A
Drain to Source On Resistance	0.0085 Ohms
Drain to Source Voltage	30 V
Fall Time	16 ns
Forward Transconductance	65 S
Forward Voltage, Diode	1.1 V
Gate to Source Voltage	-16, 20 V
Height	0.042" (1.07mm)
Input Capacitance	1450 pF @ 15 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	34 °C/W
Length	0.235 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Operating and Storage Temperature	-55 TO 150 C
Package Type	PowerPAK-SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	31.2 W
Resistance, Thermal, Junction to Case	8 °C/W
Series	TrenchFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	9.4 nC
Turn Off Delay Time	18 ns
Turn On Delay Time	15 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	19.4 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Width	0 in