Excelitas Technologies Sensors VTD34H

Diode,Photo,SAR 400 to 1100nm,Id 2nA,Isc 70uA,Voc 365mV,Case 22 Mini DIP,Tr 50ns

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Excelitas Technologies Sensors VTD34H Specifications

Property	Value
Active Area	0.012 sq.in.
Breakdown Voltage	40 V
Dark Current	2 nA
Fall Time	50 ns
Junction Capacitance	60 pF
Open Circuit Voltage	365 mV
Operating Temperature	-20 to +80 °C
Package Type	Case 22 Mini DIP
Primary Type	Photo
Product Header	Alternate Source/Second Source Photodiode
Rise Time	50 ns
Spectral Application Range	400 to 1100 nm
Spectral Sensitivity	0.6 A/W