Excelitas Technologies Sensors VTP3310LAH

Diode,Photo,SAR 400 to 1150nm,Id 35nA,Isc 36uA,Voc 350mV,T-1,Rs 10Gohm,Vbr 140V

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Excelitas Technologies Sensors VTP3310LAH Specifications

Property	Value
Active Area	0.0011 sq.in.
Breakdown Voltage	140 V
Dark Current	35 nA
Junction Capacitance	25 pF
Open Circuit Voltage	350 mV
Operating Temperature	-40 to +100 °C
Package Type	T-1
Primary Type	Photo
Product Header	VTP Process Photodiode
Series	VTP Series
Shunt Resistance	10 Gigaohms
Spectral Application Range	400 to 1150 nm
Spectral Sensitivity	0.55 A/W