Excelitas Technologies Sensors VTP8350H

Diode,Photo,SAR 400 to 1150nm,Id 30nA,Isc 80uA,Voc 350mV,Case 11,Rs 100Gohm

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Excelitas Technologies Sensors VTP8350H Specifications

Property	Value
Active Area	0.012 sq.in.
Breakdown Voltage	140 V
Dark Current	30 nA
Junction Capacitance	50 pF
Open Circuit Voltage	350 mV
Operating Temperature	-20 to +75 °C
Package Type	Case 11
Primary Type	Photo
Product Header	VTP Process Photodiode
Series	VTP Series
Shunt Resistance	100 Gigaohms
Spectral Application Range	400 to 1150 nm
Spectral Sensitivity	0.55 A/W