General Semiconductor / Vishay 1N5408-E3/54

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

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General Semiconductor / Vishay 1N5408-E3/54 Specifications

Property	Value
Configuration	Single
Continuous Forward Current	3 A
Diameter	5.3 mm
Dimensions	5.3 Dia. x 9.5 L mm
Diode Type	General Purpose Rectifier
Forward Voltage	1.2 V
Junction Capacitance	30 pF
Junction to Ambient Thermal Resistance	20 °C/W
Length	0.374 in
Maximum Junction Temperature	+150 °C
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-50 °C
Mounting Type	Through Hole
Non Repetitive On State Peak Current	200 A
Number of Pins	2
Operating Temperature	-50 to +150 °C
Package Type	DO-201AD
Peak Current	500 μA
Primary Type	Rectifier
Repetitive Peak Voltage	1000 V
Reverse Current	5 μA
Series	1N5408 Series
Surge Current	200 A
Switching Speed	Standard
Temperature Operating Range	-50 to +150 °C