General Semiconductor / Vishay GL34G-E3/51
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General Semiconductor / Vishay GL34G-E3/51 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Continuous Forward Current | 0.5 A |
| Diameter | 1.676 mm |
| Dimensions | 1.676 Dia. x 3.683 L mm |
| Diode Type | Glass Passivated Junction Rectifier |
| Forward Voltage | 1.2 V |
| Junction Capacitance | 4 pF |
| Length | 0.145 in |
| Maximum Junction Temperature | +175 °C |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Non Repetitive On State Peak Current | 10 A |
| Operating Temperature | -65 to +175 °C |
| Package Type | DO-213AA |
| Peak Current | 50 μA |
| Primary Type | Rectifier |
| Product Header | Surface Mount Glass Passivated Junction Rectifier |
| Recovery Time | 1.5 μs |
| Rectifier Type | Switching |
| Repetitive Peak Voltage | 400 V |
| Reverse Current | 50 μA |
| Reverse Recovery Time | 1.5 μs |
| Series | GL Series |
| Surge Current | 10 A |
| Switching Speed | Standard |
| Temperature Operating Range | -65 to +175 °C |