General Semiconductor / Vishay S1G-E3/61T

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

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General Semiconductor / Vishay S1G-E3/61T Specifications

Property	Value
Configuration	Single
Continuous Forward Current	1 A
Dimensions	4.50 x 2.79 x 2.087 mm
Diode Type	Glass Passivated Rectifier
Forward Voltage	1.1 V
Height	0.082" (2.087mm)
Junction Capacitance	12 pF
Length	0.177 in
Maximum Junction Temperature	+150 °C
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Non Repetitive On State Peak Current	40 A
Number of Pins	2
Operating Temperature	-55 to +150 °C
Package Type	DO-214AC
Peak Current	50 μA
Primary Type	Rectifier
Product Header	Surface Mount Glass Passivated Rectifier
Recovery Time	1.8 μs
Repetitive Peak Voltage	400 V
Reverse Current	50 μA
Reverse Recovery Time	1800 ns
Series	S1G Series
Surge Current	40 A
Switching Speed	Standard
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Width	0 in