General Semiconductor / Vishay SS3H10-E3/57T

Diode,Schottky Barrier,Vr 100V,If 3A,Pkg DO-214AB (SMC),Vf 0.65V,Tj +175degc

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General Semiconductor / Vishay SS3H10-E3/57T Specifications

Property	Value
Configuration	Single
Continuous Forward Current	3 A
Dimensions	7.11 x 6.22 x 2.417 mm
Diode Type	Schottky
Forward Voltage	0.65 V
Height	0.095" (2.417mm)
Length	0.279 in
Maximum Junction Temperature	+175 °C
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Surface Mount
Non Repetitive On State Peak Current	100 A
Number of Pins	2
Operating Temperature	-65 to +175 °C
Package Type	DO-214AB
Peak Current	4000 μA
Primary Type	Schottky Barrier
Product Header	High Voltage Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
Rectifier Type	Switching
Repetitive Peak Voltage	100 V
Reverse Current	4 mA
Series	SS3 Series
Surge Current	100 A
Temperature Operating Range	-65 to +175 °C
Width	0 in