General Semiconductor / Vishay SS8P6C-M3/86A

Diode,Schottky Barrier,Vr 60V,If 8A,Pkg TO-277A,Config Dual Common Cathode

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General Semiconductor / Vishay SS8P6C-M3/86A Specifications

Property	Value
Configuration	Dual Common Cathode
Continuous Forward Current	4 A
Dimensions	6.15 x 4.35 x 0.80 mm
Diode Type	Schottky
Forward Voltage	0.7 V
Height	0.031" (0.8mm)
Junction Capacitance	160 pF
Length	0.242 in
Maximum Junction Temperature	+150 °C
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Non Repetitive On State Peak Current	120 A
Number of Pins	2
Operating Temperature	-55 to +150 °C
Package Type	TO-277A
Peak Current	10000 μA
Primary Type	Schottky Barrier
Product Header	High Current Density Surface Mount Dual Common Cathode Schot
Rectifier Type	Schottky
Repetitive Peak Voltage	60 V
Reverse Current	1.6 mA
Series	SS8 Series
Surge Current	120 A
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Width	0 in