General Semiconductor / Vishay V40120C-E3/4W
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General Semiconductor / Vishay V40120C-E3/4W Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Configuration | Dual Common Cathode |
| Continuous Forward Current | 20 A |
| Dimensions | 10.54 x 15.32 x 4.70 mm |
| Diode Type | Schottky |
| Forward Voltage | 0.71 V |
| Height | 0.603" (15.32mm) |
| Length | 0.414 in |
| Maximum Junction Temperature | +150 °C |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Non Repetitive On State Peak Current | 250 A |
| Number of Pins | 3 |
| Operating Temperature | -40 to +150 °C |
| Package Type | TO-220AB |
| Peak Current | 45000 μA |
| Primary Type | Schottky Barrier |
| Product Header | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| Rectifier Type | MOS |
| Repetitive Peak Voltage | 120 V |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 1.8 °C/W |
| Reverse Current | 22 mA |
| Series | V40120C Series |
| Surge Current | 250 A |
| Temperature Operating Range | -40 to +150 °C |
| Width | 0 in |