General Semiconductor / Vishay V60100C-E3/4W

Diode,Schottky Barrier,Vr 100V,If 60A,Pkg TO-220AB,Config Dual,Vf 0.66V,Cs 320A

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General Semiconductor / Vishay V60100C-E3/4W Specifications

Property	Value
Configuration	Dual Common Cathode
Continuous Forward Current	30 A
Dimensions	10.54 x 15.32 x 4.70 mm
Diode Type	Schottky
Forward Voltage	0.79 V
Height	0.603" (15.32mm)
Length	0.414 in
Maximum Junction Temperature	+150 °C
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Through Hole
Non Repetitive On State Peak Current	320 A
Number of Pins	3
Operating Temperature	-40 to +150 °C
Package Type	TO-220AB
Peak Current	100000 μA
Primary Type	Schottky Barrier
Product Header	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Rectifier Type	MOS
Repetitive Peak Voltage	100 V
Resistance, Thermal, Junction to Case	2.5 °C/W
Reverse Current	30 mA
Series	V60100C Series
Surge Current	320 A
Temperature Operating Range	-40 to +150 °C
Width	0 in