Infineon IRF1324S-7PPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 24V,RDS(ON) 0.8 Milliohm,ID 429A,D2Pak,PD 300W,VGS+/-20V

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Infineon IRF1324S-7PPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Penta Source
Dimensions	10.8 x 8.15 x 4.55 mm
Drain Current	429 A
Drain to Source On Resistance	1 mΩ
Drain to Source Voltage	24 V
Forward Transconductance	270 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	± 20 V
Height	0.179" (4.55mm)
Input Capacitance	7700 pF @ 19 V
Length	0.425" (10.8mm)
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	7
Package Type	D2PAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	300 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	180 nC
Turn Off Delay Time	86 ns
Turn On Delay Time	19 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	180 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	24 V
Width	0.321" (8.15mm)