Infineon IRF1902GPBF

MOSFET, 20V, 4.2A, 85 MOHM, 5 NC QG, SO-8, HALOGEN-FREE

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Infineon IRF1902GPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Drain Current	4.2 A
Drain to Source On Resistance	170 mΩ
Drain to Source Voltage	20 V
Forward Transconductance	74 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±12 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	310 pF @ 15 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Power Dissipation	2.5 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	23 ns
Turn On Delay Time	5.9 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	5.0 nC @ 4.5 V
Width	0.157" (4mm)