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Infineon IRF3808PBF
Infineon IRF3808PBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 75V,RDS(ON) 5.9 Milliohms,ID 140A,TO-220AB,PD 330W,-55CEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRF3808PBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Alternate Mfr Part Number | 8655768 |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Dimensions | 10.67 x 4.83 x 16.51 mm |
Drain Current | 140 A |
Drain to Source On Resistance | 7 mOhms |
Drain to Source Voltage | 75 V |
Forward Transconductance | 100 S |
Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.65" (16.51mm) |
Input Capacitance | 5310 pF @ 25 V |
Length | 0.42 in |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Package Type | TO-220AB |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 330 W |
Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
Series | HEXFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
Total Gate Charge | 150 nC |
Turn Off Delay Time | 68 ns |
Turn On Delay Time | 16 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 75 V |
Width | 0 in |