Infineon IRF5850TRPBF
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Infineon IRF5850TRPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Dual |
| Dimensions | 3.00 x 1.75 x 1.15 mm |
| Drain Current | -1.8 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.22 Ω |
| Drain to Source Voltage | -20 V |
| Forward Transconductance | 3.5 S |
| Forward Voltage, Diode | -1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±12 V |
| Height | 0.045" (1.15mm) |
| Input Capacitance | 320 pF @ -15 V |
| Length | 0.118" (3mm) |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 6 |
| Package Type | TSOP-6 |
| Power Dissipation | 0.96 W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Turn Off Delay Time | 31 ns |
| Turn On Delay Time | 8.3 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.6 nC @ -4.5 V |
| Width | 0.069" (1.75mm) |