Infineon IRF6217TRPBF

IRF6217TRPBF P-channel SiC MOSFET Transistor, 0.7 A, 150 V, 8-Pin SOIC

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Infineon IRF6217TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Configuration	Quad Drain ; Triple Source
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Drain Current	-0.7 A
Drain to Source On Resistance	2.4 Ohms
Drain to Source Voltage	-150 V
Forward Transconductance	0.55 S
Forward Voltage, Diode	-1.6 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	150 pF @ 25 V
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Power Dissipation	2.5 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	14 ns
Turn On Delay Time	12 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	6.0 nC @ -10 V
Width	0 in