Infineon IRF630NPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 200V,RDS(ON) 0.3Ohm,ID 9.3A,TO-220AB,PD 82W,VGS +/-20V

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Infineon IRF630NPBF Specifications

Property	Value
Alternate Mfr Part Number	5430068
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.67 x 4.83 x 9.02 mm
Drain Current	9.3 A
Drain to Source On Resistance	0.3 Ohms
Drain to Source Voltage	200 V
Forward Transconductance	4.9 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.355" (9.02mm)
Input Capacitance	575 pF @ 25 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	82 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Resistance, Thermal, Junction to Case	1.83 °C/W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	35 nC
Turn Off Delay Time	27 ns
Turn On Delay Time	7.9 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 35 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	200 V
Width	0 in