Infineon IRF640NLPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 200V,RDS(ON) 0.15Ohm,ID 18A,TO-262,PD 150W,VGS +/-20V

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Infineon IRF640NLPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	10.67 x 4.83 x 9.65 mm
Drain Current	18 A
Drain to Source On Resistance	0.15 Ohms
Drain to Source Voltage	200 V
Forward Transconductance	6.8 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.38" (9.65mm)
Input Capacitance	1160 pF @ 25 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-262
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	150 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Resistance, Thermal, Junction to Case	1 °C/W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	67 nC
Turn Off Delay Time	23 ns
Turn On Delay Time	10 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 67 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	200 V
Width	0 in