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Infineon IRF6609TRPBF
Infineon IRF6609TRPBF
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Infineon IRF6609TRPBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Dual Drain |
Dimensions | 6.35 x 5.05 x 0.506 mm |
Drain Current | 150 A |
Drain to Source On Resistance | 2.6 mΩ |
Drain to Source Voltage | 20 V |
Forward Transconductance | 91 S |
Forward Voltage, Diode | 1.2 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.02" (0.506mm) |
Input Capacitance | 6290 pF @ 10 V |
Length | 0.250" <1/4> (6.350mm) |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 5 |
Package Type | DirectFET MT |
Power Dissipation | 89 W |
Series | HEXFET Series |
Temperature Operating Range | -40 to +150 °C |
Turn Off Delay Time | 26 ns |
Turn On Delay Time | 24 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 46 nC @ 4.5 V |
Width | 0.199" (5.05mm) |