Infineon IRF6617TR1PBF

30V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET, DIRECTFET

Estamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].

A nossa gama de produtos inclui uma grande variedade de opções Infineon e outros modelos. Se não encontrar o modelo que procura, pode enviar-nos um e-mail ou preencher o formulário de pedido de cotação. A nossa empresa oferece apenas produtos originais ou novos. Se tiver pedidos especiais a este respeito, não hesite em contactar-nos.

Nesta página, encontrará informações detalhadas sobre o produto Infineon IRF6617TR1PBF. A marca Infineon é reconhecida pelos seus componentes de alta qualidade utilizados em vários setores. O site oferece diferentes modelos de produtos Infineon, fornecendo opções adaptadas às suas necessidades.

Por favor, entre em contato connosco para fazer um pedido para o produto Infineon IRF6617TR1PBF ou para obter mais detalhes. Teremos todo o prazer em ajudá-lo a verificar o produto ou a explorar outros modelos.

Não hesite em contactar-nos. Estamos aqui para fornecer a peça certa da forma mais confiável. A satisfação do cliente e a qualidade do produto são as nossas principais prioridades. Estamos aqui para lhe proporcionar o melhor serviço.

Infineon IRF6617TR1PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain, Dual Source
Dimensions	4.85 x 3.95 x 0.506 mm
Drain Current	55 A
Drain to Source On Resistance	10.3 mΩ
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Transconductance	39 S
Forward Voltage, Diode	1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.02" (0.506mm)
Input Capacitance	1300 pF @ 15 V
Length	0.19" (4.85mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	5
Package Type	DirectFET ST
Power Dissipation	42 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-40 to +150 °C
Turn Off Delay Time	12 ns
Turn On Delay Time	11 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	11 nC @ 4.5 V
Width	0.156" (3.95mm)