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Infineon IRF6618TR1PBF
Infineon IRF6618TR1PBF
30V N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET WITH 20 VOLT GATE, DIRECTFET MTEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRF6618TR1PBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Dual Drain, Dual Source |
Dimensions | 6.35 x 5.05 x 0.506 mm |
Drain Current | 170 A |
Drain to Source On Resistance | 3.4 mΩ |
Drain to Source Voltage | 30 V |
Forward Transconductance | 100 S |
Forward Voltage, Diode | 1.2 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.02" (0.506mm) |
Input Capacitance | 5640 pF @ 15 V |
Length | 0.250" <1/4> (6.350mm) |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 5 |
Package Type | DirectFET MT |
Power Dissipation | 89 W |
Series | HEXFET Series |
Temperature Operating Range | -40 to +150 °C |
Turn Off Delay Time | 27 ns |
Turn On Delay Time | 21 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 43 nC @ 4.5 V |
Width | 0.199" (5.05mm) |