Infineon IRF6619TRPBF

A 20V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A DIRECTFET MX PACKAGERATED AT 150

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Infineon IRF6619TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain, Dual Source
Dimensions	6.35 x 5.05 x 0.506 mm
Drain Current	150 A
Drain to Source On Resistance	3 mΩ
Drain to Source Voltage	20 V
Forward Transconductance	89 S
Forward Voltage, Diode	1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.02" (0.506mm)
Input Capacitance	5040 pF @ 10 V
Length	0.250" <1/4> (6.350mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	5
Package Type	DirectFET MX
Power Dissipation	89 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-40 to +150 °C
Turn Off Delay Time	25 ns
Turn On Delay Time	21 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	38 nC @ 4.5 V
Width	0.199" (5.05mm)