Infineon IRF6637TRPBF

A 30V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A DIRECTFET MP PACKAGERATED AT 52

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Infineon IRF6637TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain, Dual Source
Dimensions	6.35 x 5.05 x 0.506 mm
Drain Current	59 A
Drain to Source On Resistance	10.8 mΩ
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Transconductance	38 S
Forward Voltage, Diode	1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.02" (0.506mm)
Input Capacitance	1330 pF @ 15 V
Length	0.250" <1/4> (6.350mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	5
Package Type	DirectFET MP
Power Dissipation	42 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-40 to +150 °C
Turn Off Delay Time	14 ns
Turn On Delay Time	12 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	11 nC @ 4.5 V
Width	0.199" (5.05mm)