Infineon IRF6709S2TRPBF

MOSFET; 25V; 12.000A; DIRECTFET-LV

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Infineon IRF6709S2TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	4.85 x 3.95 x 0.57 mm
Drain Current	39 A
Drain to Source On Resistance	13.5 mΩ
Drain to Source Voltage	25 V
Forward Transconductance	19 S
Forward Voltage, Diode	1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.022" (0.57mm)
Input Capacitance	1010 pF @ 13 V
Length	0.19" (4.85mm)
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	5
Package Type	DirectFET S1
Power Dissipation	21 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	9.1 ns
Turn On Delay Time	8.4 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	8.1 nC @ 4.5 V
Width	0.156" (3.95mm)