Infineon IRF6712STRPBF

A 25V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A DIRECTFET SQ PACKAGE RATED AT 17

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Infineon IRF6712STRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain, Dual Source
Dimensions	4.85 x 3.95 x 0.506 mm
Drain Current	68 A
Drain to Source On Resistance	8.7 mΩ
Drain to Source Voltage	25 V
Forward Transconductance	40 S
Forward Voltage, Diode	1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.02" (0.506mm)
Input Capacitance	1510 pF @ 13 V
Length	0.19" (4.85mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	5
Package Type	DirectFET SQ
Power Dissipation	36 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-40 to +150 °C
Turn Off Delay Time	14 ns
Turn On Delay Time	11 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	12 nC @ 4.5 V
Width	0.156" (3.95mm)