Infineon IRF6723M2DTRPBF

DUAL (HEX0.8 X 2) MEDIUM-CAN, 30V, DF2.0

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Infineon IRF6723M2DTRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	6.35 x 5.05 x 0.596 mm
Drain Current	47 A
Drain to Source On Resistance	11.3 mΩ
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Transconductance	34 S
Forward Voltage, Diode	1 V
Gate to Source Voltage	± 20 V
Height	0.023" (0.596mm)
Input Capacitance	1380 pF @ 15 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	56 °C/W
Length	0.250" <1/4> (6.350mm)
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	DirectFET ISOMETRIC MA
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	25 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	9.4 nC
Turn Off Delay Time	15 ns
Turn On Delay Time	14 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	9.4 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Width	0.199" (5.05mm)