Infineon IRF6785MTR1PBF

MOSFET, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 85 mOhm, ID 19A, DirectFET

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Infineon IRF6785MTR1PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain, Dual Source
Dimensions	6.35 x 5.05 x 0.506 mm
Drain Current	19 A
Drain to Source On Resistance	100 mΩ
Drain to Source Voltage	200 V
Forward Transconductance	8.9 sec
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.02" (0.506mm)
Input Capacitance	1500 pF @ 25 V
Length	0.250" <1/4> (6.350mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	5
Package Type	DirectFET MZ
Power Dissipation	57 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-40 to +150 °C
Turn Off Delay Time	7.2 ns
Turn On Delay Time	6.2 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	26 nC @ 10 V
Width	0.199" (5.05mm)