Infineon IRF7103PBF

IRF7103PBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 3 A, 50 V, 8-Pin SOIC

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Infineon IRF7103PBF Specifications

Property	Value
Alternate Mfr Part Number	5410575
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain ; Triple Source
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.5 mm
Drain Current	3 A
Drain to Source On Resistance	0.2 Ohms
Drain to Source Voltage	50 V
Forward Transconductance	3.8 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	290 pF @ 25 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	62.5 °C/W
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	2 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	12 nC
Turn Off Delay Time	70 ns
Turn On Delay Time	9 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	12 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	50 V
Width	0 in