Infineon IRF7306PBF

MOSFET, Power,Dual P-Ch,VDSS -30V,RDS(ON) 0.1Ohm,ID -3.6A,SO-8,PD 2W,VGS +/-20V

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Infineon IRF7306PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Drain Current	-3.6 A
Drain to Source On Resistance	0.1 Ohm
Drain to Source Voltage	-30 V
Forward Transconductance	2.5 S
Forward Voltage, Diode	-1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	SO-8
Polarization	Dual P-Channel
Power Dissipation	2 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Total Gate Charge	25 nC
Turn Off Delay Time	25 ns
Turn On Delay Time	11 ns
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-30 V