Infineon IRF7317PBF
IRF7317PBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 5.3 A, 6.6 A, 20 V, 8-Pin SOICEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRF7317PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N ; P |
| Configuration | Dual Source ; Quad Drain |
| Dimensions | 5.00 x 4.00 x 1.50 mm |
| Drain Current | -5.3 to 6.6 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.046 to 0.098 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -20 to 20 V |
| Forward Transconductance | 20 (N), 5.9 (P) S |
| Forward Voltage, Diode | -1 (P), 1 (N) V |
| Gate to Source Voltage | ±12 V |
| Height | 0.059" (1.5mm) |
| Input Capacitance | 780 pF @ -15 V (P), 900 pF @ 15 V (N) |
| Length | 0.196 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Package Type | SO-8 |
| Power Dissipation | 2 W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Turn Off Delay Time | 38 (N), 42 (P) ns |
| Turn On Delay Time | 15 (P), 8.1 (N) ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V (N), 19 nC @ -4.5 V (P) |
| Width | 0 in |