Infineon IRF7319TRPBF

IRF7319TRPBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 4.9 A, 6.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC

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Infineon IRF7319TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N ; P
Configuration	Dual Source ; Quad Drain
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Drain Current	-4.9 to 6.5 A
Drain to Source On Resistance	0.046 to 0.098 Ohms
Drain to Source Voltage	-30 to 30 V
Forward Transconductance	14 (N), 7.7 (P) S
Forward Voltage, Diode	0.78/-0.78 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	650 pF @ 25 V (N), 710 pF @ -25 V (P)
Junction to Ambient Thermal Resistance	62.5 °C/W
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel and P-Channel
Power Dissipation	2 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	22/23 nC
Turn Off Delay Time	26 (N), 34 (P) ns
Turn On Delay Time	13 (P), 8.1 (N) ns
Typical Gate Charge @ Vgs	22 nC @ 10 V (N), 23 nC @ -10 V (P)
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30/-30 V
Width	0 in