Infineon IRF7342D2TRPBF

-55V FETKY - MOSFET AND SCHOTTKY DIODE IN A SO-8 PACKAGE

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Infineon IRF7342D2TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Configuration	Dual Drain
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Drain Current	-3.4 A
Drain to Source On Resistance	0.17 Ω
Drain to Source Voltage	-55 V
Forward Transconductance	3.3 sec
Forward Voltage, Diode	-1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	690 pF @ -25 V
Length	0.196" (5mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-50 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Power Dissipation	2 W
Series	FETKY Series
Temperature Operating Range	-50 to +150 °C
Turn Off Delay Time	43 ns
Turn On Delay Time	14 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	26 nC @ -10 V
Width	0.157" (4mm)