Infineon IRF7350TRPBF

100V DUAL N- AND P- CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A SO-8 PACKAGE

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Infineon IRF7350TRPBF Specifications

Property	Value
Drain Current	2.1/-1.5 A
Drain to Source On Resistance	0.21/0.48 Ohms
Forward Transconductance	2.4/1.1 S
Forward Voltage, Diode	1.3/-1.6 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	62.5 °C/W
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel and P-Channel
Power Dissipation	2 W
Series	HEXFET Series
Total Gate Charge	19/21 nC
Turn Off Delay Time	35/30 ns
Turn On Delay Time	6.7/25 ns
Type	Power
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100/-100 V