Infineon IRF7450PBF

IRF7450PBF N-channel MOSFET Transistor, 2.5 A, 200 V, 8-Pin SOIC

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Infineon IRF7450PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Configuration	Quad Drain, Triple Source
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Drain Current	2.5 A
Drain to Source On Resistance	0.17 Ω
Drain to Source Voltage	200 V
Forward Transconductance	2.6 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±30 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	940 pF @ 25 V
Length	0.196" (5mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Power Dissipation	2.5 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	17 ns
Turn On Delay Time	10 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	26 nC @ 10 V
Width	0.157" (4mm)