Infineon IRF7467PBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 9.4 Milliohms,ID 11A,SO-8,PD 2.5W,VGS +/-12V

Estamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].

A nossa gama de produtos inclui uma grande variedade de opções Infineon e outros modelos. Se não encontrar o modelo que procura, pode enviar-nos um e-mail ou preencher o formulário de pedido de cotação. A nossa empresa oferece apenas produtos originais ou novos. Se tiver pedidos especiais a este respeito, não hesite em contactar-nos.

Nesta página, encontrará informações detalhadas sobre o produto Infineon IRF7467PBF. A marca Infineon é reconhecida pelos seus componentes de alta qualidade utilizados em vários setores. O site oferece diferentes modelos de produtos Infineon, fornecendo opções adaptadas às suas necessidades.

Por favor, entre em contato connosco para fazer um pedido para o produto Infineon IRF7467PBF ou para obter mais detalhes. Teremos todo o prazer em ajudá-lo a verificar o produto ou a explorar outros modelos.

Não hesite em contactar-nos. Estamos aqui para fornecer a peça certa da forma mais confiável. A satisfação do cliente e a qualidade do produto são as nossas principais prioridades. Estamos aqui para lhe proporcionar o melhor serviço.

Infineon IRF7467PBF Specifications

Property	Value
Drain Current	11 A
Drain to Source On Resistance	9.4 Milliohms
Forward Transconductance	28 S
Forward Voltage, Diode	0.79 V
Gate to Source Voltage	±12 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	2.5 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Total Gate Charge	21 nC
Turn Off Delay Time	19 ns
Turn On Delay Time	7.8 ns
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V