Infineon IRF7501TRPBF

MOSFET, DUAL N-CHANNEL, 20V, 2.4A, MICRO 8

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Infineon IRF7501TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain ; Triple Source
Dimensions	3.05 x 3.05 x 0.91 mm
Drain Current	2.4 A
Drain to Source On Resistance	0.2 Ohms
Drain to Source Voltage	20 V
Forward Transconductance	2.6 sec
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±12 V
Height	0.036" (0.91mm)
Input Capacitance	260 pF @ 15 V
Length	0.12 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Power Dissipation	1.25 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	15 ns
Turn On Delay Time	5.7 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	5.3 nC @ 4.5 V
Width	0 in