Infineon IRF7503TRPBF

IRF7503TRPBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 2.4 A, 30 V, 8-Pin MSOP

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Infineon IRF7503TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Source ; Quad Drain
Dimensions	3.05 x 3.05 x 0.91 mm
Drain Current	2.4 A
Drain to Source On Resistance	0.222 Ohms
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Transconductance	1.9 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.036" (0.91mm)
Input Capacitance	210 pF @ 25 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	100 °C/W
Length	0.12 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	Micro8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	1.25 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	7.8 nC
Turn Off Delay Time	12 ns
Turn On Delay Time	4.7 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	7.8 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Width	0 in