Infineon IRF7507PBF
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Infineon IRF7507PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N, P |
| Configuration | Dual Source, Quad Drain |
| Dimensions | 3.05 x 3.05 x 0.91 mm |
| Drain Current | -1.7 (P), 2.4 (N) A |
| Drain to Source On Resistance | 0.20 (N), 0.40 (P) mΩ |
| Drain to Source Voltage | -20 (P), 20 (N) V |
| Forward Transconductance | 1.3 (P), 2.6 (N) S |
| Forward Voltage, Diode | 1.2/-1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±12 V |
| Height | 0.036" (0.91mm) |
| Input Capacitance | 240 pF @ -15 V (P), 260 pF @ 15 V (N) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 100 °C/W |
| Length | 0.12" (3.05mm) |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Package Type | Micro8 |
| Polarization | N-Channel and P-Channel |
| Power Dissipation | 1.25 W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 5.3/5.4 nC |
| Turn Off Delay Time | 15 (N), 38 (P) ns |
| Turn On Delay Time | 5.7 (N), 9.1 (P) ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.3 nC @ 4.5 V (N), 5.4 nC @ -4.5 V (P) |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 20/-20 V |
| Width | 0.12" (3.05mm) |