Infineon IRF7555TRPBF

-20V DUAL P-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A MICRO 8 PACKAGE

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Infineon IRF7555TRPBF Specifications

Property	Value
Drain Current	-4.3 A
Drain to Source On Resistance	0.055 Ohms
Forward Transconductance	2.5 S
Forward Voltage, Diode	-1.2 V
Gate to Source Voltage	±12 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	100 °C/W
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	Micro8
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	1.25 W
Series	HEXFET Series
Total Gate Charge	10 nC
Turn Off Delay Time	60 ns
Turn On Delay Time	10 ns
Type	Dual Power
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-20 V