Infineon IRF7834PBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 3.6 Milliohms,ID 19A,SO-8,PD 2.5W,VGS +/-20V

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Infineon IRF7834PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain, Triple Source
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Drain Current	19 A
Drain to Source On Resistance	5.5 mΩ
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Transconductance	85 sec
Forward Voltage, Diode	1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	3710 pF @ 15 V
Length	0.196" (5mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	2.5 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	29 nC
Turn Off Delay Time	18 ns
Turn On Delay Time	13.7 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	29 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Width	0.157" (4mm)