Infineon IRF7853TRPBF

MOSFET, 100V, 8.3A, 18 MOHM, 28 NC QG, SO-8

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Infineon IRF7853TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain ; Triple Source
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Drain Current	8.3 A
Drain to Source On Resistance	18 mOhms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	11 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	1640 pF @ 25 V
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Power Dissipation	2.5 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	26 ns
Turn On Delay Time	13 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	28 nC @ 10 V
Width	0 in